سوئیچ نوری پهنباند و فشرده بر پایه موجبر هایبرید پلاسمونیک
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده برق و کامپیوتر
- author بابک جانجان
- adviser عباس ظریفکار عباس علی قنبری
- publication year 1393
abstract
در این پایان نامه سوئیچ های نوری پهن باند بر پایه تزویجگر هایبرید پلاسمونیک و تداخلگر ماخ-زندر ارایه شده است.
similar resources
تحلیل و شبیه سازی سوئیچ پلاسمونیک تمام نوری دوجهتی
در این پایان نامه، مشخصه های یک سوده (سوئیچ) پلاسمونی تمام نوری که یک المان کلیدی در شبکه های مخابرات و محاسبات نوری محسوب می شود، بررسی و با استفاده از روش دوبعدی تفاضل محدود در حوزه ی زمان برای محیط های پاشنده و غیرخطی، شبیه سازی می شود.این سوده پلاسمونی تمام نوری بر مبنای ساختار نانوچاک t-شکل نامتقارن و اثر غیرخطی کر عمل می کند. با شبیه سازی خطی، تأثیر تغییر ضریب شکست محیط عایقی ساختار، روی ...
سوئیچ تمام نوری 1 × n بر اساس موجبر غیرخطی
در این پایان نامه یک سوئیچ ماخ زندر تمام نوری یک در n طراحی و شبیه سازی می شود که رفتار نوسانی سالیتونی در طول انتشار پالس در موجبر غیرخطی این ساختار مشاهده می گردد. سوئیچ پیشنهادی شامل دو ساختار متقارن و نامتقارن می باشد و پالس گوسی کوپل شده با قطبش te به ورودی سوئیچ، و اعمال تغییرات طول موج و توان در پالس ورودی از محیط واسط غیرخطی عبور کرده و از یکی از کانال های مطلوب در خروجی خارج می شود. نت...
15 صفحه اولجفتگر کم اتلاف برای دو موجبر پلاسمونیک ترکیبی و سیلیکونی
در این مقاله یک جفتگر فلزی کم اتلاف و پر بازده به منظور هدایت موج از یک موجبر سیلیکونی به یک موجبر پلاسمونیک معرفی و مشخصه یابی شده است. عملکرد جفتگر در ابعاد مختلف بررسی و بهینه سازی شده است. محاسبات نشان می دهد که در جفتگر پیشنهادی، محدودسازی نور از موجبر سیلیکونی . به موجبر پلاسمونیک تا ابعاد2 nm 200×200 با بازده 70 % ( db 8/ 0 )در طول موج µm 55/1 رخ میدهد .
full textتحلیل موجی کامل سوئیچ میکروالکترومکانیکی موازی بر روی موجبر هم صفحه
در این مقاله تحلیل موجب کامل الکترومغناطیسی سوئیچ میکروالکترومکانیکی در فرکانسهای مایکروویو و امواج میلیمتری ارائه می شود. با حل معادله موج هلمهولتز با روش عناصر محدود (FEM) و با استفاده از شبیه ساز HFSS میدانها را بدست می آوریم. ساختار سوئیچ را بعنوان دو قطبی فرض کرده و پارامترهای پراکندگی (S) را از میدانهای بدست آمده استخراج می کنیم. مشخصات و کمیتهای توصیف کننده سوئیچ از جمله تلفات داخلی در ح...
full textتنظیم پذیری مدهای هایبرید در موجبرهای پلاسمونیک
فرامواد یک آرایش ساختاری مصنوعی، طراحی شده برای دست یابی به خواص الکترومغناطیس سودمند و غیر معمولی هستند که ویژگی بارز آنها ضریب شکست منفی می باشد. این مواد دارای پاسخ های الکتریکی و مغناطیسی اند که به ترتیب با ضریب گذردهی دی الکتریک و نفوذپذیری مغناطیسی بیان می شوند. هریک از این دو نیز به پارامتر هایی وابسته هستند که از جمله آن ها می توان به فرکانس رزونانس ، ثابت میرایی، فرکانس پلاسما و قدرت ر...
My Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده برق و کامپیوتر
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023